微細加工技術

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微細加工技術 關注(): 期刊周期：雙月刊; 期刊級別：北大核心; 國內統一刊號：43-1140/TN; 國際標準刊號：1003-8213; 主辦單位：中國電子科技集團公司第48研究所; 主管單位：信息產業部; 上一本期雜志：老齡科學研究職稱論文發表期刊; 下一本期雜志：射頻世界2016期刊

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　　期刊欄目：

　　綜述、電子束技術、離子束技術、光子束技術、薄膜技術、微機械加工技術、納米技術

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　　閱讀推薦：世界產品與技術

　　《世界產品與技術》科技雜志，產品信息刊物。報道世界的產品和技術新信息，為產業界、技術界服務。堅持為社會主義服務的方向，堅持以馬克思列寧主義、毛澤東思想和鄧小平理論為指導，貫徹“百花齊放、百家爭鳴”和“古為今用、洋為中用”的方針，堅持實事求是、理論與實際相結合的嚴謹學風，傳播先進的科學文化知識，弘揚民族優秀科學文化，促進國際科學文化交流，探索防災科技教育、教學及管理諸方面的規律，活躍教學與科研的學術風氣，為教學與科研服務。

　　微細加工技術最新期刊目錄

用于非球面測試的位相型計算全息圖制作————作者：馬杰;朱效立;謝常青;葉甜春;趙珉;劉明;陳寶欽;朱日宏;高志山;馬駿;

摘要：本文對計算全息圖元件的設計和制作關鍵技術進行了研究,自行開發了計算全息圖元件光刻圖形計算機生成算法和軟件,研究了采用高速電子束直寫系統制作大面積、非周期性復雜光刻圖形技術,在此工作的基礎上,采用濕法腐蝕鉻、感應耦合等離子體刻蝕石英玻璃兩步圖形轉移的方案,制作出了圖形區直徑為64 mm、最外環線條寬度為2.0μm、刻蝕深度為690 nm的位相型計算全息圖元件,并對加工結果進行了測量。結果表明,本方案...

射頻磁控共濺射高溫NH₃退火制備CuO/SiO₂復合薄膜的微觀結構————作者：石鋒;李玉國;孫欽軍;

摘要：采用射頻磁控共濺射法在硅襯底上沉積Cu/SiO2復合薄膜,然后在NH3保護下高溫退火,再于空氣中自然冷卻氧化,形成CuO結構,對其微觀結構進行分析。隨著退火溫度的升高,CuO由單斜晶相逐漸轉變為立方晶相,CuO薄膜結晶質量提高。樣品于900℃和1 100℃退火后,形成有序散落的微米級顆粒,前者由粒狀團簇組成,顆粒表面比較粗糙,后者由片融狀小顆粒融合而成,顆粒表面比較光滑

高析氫活性Ni-Mo-Zn合金電極的制備與表征————作者：朱波;劉貴昌;施志聰;王華;劉偉;

摘要：采用兩步電沉積方法在堿性檸檬酸鹽-氨水絡合體系中制備了含有Ni-Mo中間層的Ni-Mo-Zn電極,通過在熱堿溶液中浸泡除去部分Zn后得到高析氫活性電極。SEM測試發現,該電極的合金鍍層表面有多層結構和二級顆粒,它們經熱堿溶液浸泡后會形成大顆粒包裹小顆粒(粒徑小于1μm)的類似"藤壺"狀表面形貌。通過穩態陰極極化曲線考察了不同電極的催化析氫性能,發現含有Ni-Mo中間鍍層的Ni-Mo-Zn電極在堿洗...

陶瓷釉用TiO₂光催化劑的制備研究————作者：陳前林;吳建青;王龍現;

摘要：制備了SiO2-TiO2和SiO2-ZrO2-TiO2復合光催化劑,并將其加入到陶瓷釉料中,結果表明,SiO2-TiO2,SiO2-ZrO2-TiO2復合粉體經1 323 K煅燒后仍具有較好的光催化活性;但用SiO2改性的TiO2粉體添加到陶瓷釉料中,經1 323 K煅燒后,由于釉料中堿金屬及堿土金屬等離子的侵蝕,TiO2全部轉變為金紅石相,所制得的陶瓷釉料不具有光催化活性;而采用ZrO2-SiO...

共縮聚法制備功能化P(St-MPS)/MCM-41核殼復合微球————作者：趙彥生;陳凱;劉永梅;劉成岑;張向英;申迎華;

摘要：以聚(苯乙烯-γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)(P(St-MPS))微球為核模版,十六烷基三甲基溴化銨為殼模版,以P(St-MPS)微球、正硅酸乙酯與MPS的混合物為硅源,直接在無皂乳液中通過共縮聚方法合成表面鏈有碳—碳雙鍵功能基的P(St-MPS)/MCM-41核殼復合微球;采用TEM,XRD和FT-IR對產物進行了表征。結果表明,表面功能化的P(St-MPS)/MCM-41核殼復合微球可以...

Zn²⁺和PO₄^3-復合摻雜α-Ni（OH）₂的結構及電化學性能————作者：劉長久;黃良花;趙衛民;邢春曉;劉愛芳;

摘要：采用化學反應共沉淀法制備出Zn2+和PO43-陰陽離子復合摻雜的α-Ni(OH)2粉體材料。通過對其微結構表征和電化學性能的測試分析結果表明,隨著陽離子Zn2+含量相對增加,陰離子PO43-含量相對減少,晶胞參數a和c逐漸增大,當把摻入Zn2+,PO43-的摩爾百分比為23.4%,5.21%時的α-Ni(OH)2樣品作為MH-Ni電池的正極活性材料時,電化學阻抗和擴散電阻較小,電池在以80 mA/...

微氣泡在矩形鉑膜加熱器上的控制性生長及振動————作者：李倩;劉國華;徐進良;張偉;

摘要：采用標準MEMS加工工藝,設計出了5個50μm×20μm的串聯鉑膜微加熱器并將其置于并聯流動微通道內;在脈沖加熱下觀察鉑膜上氣泡的生長行為,實驗研究了主流過冷度、流速以及鉑膜功率等因素對氣泡生長的影響;結果表明,氣泡的生長延遲間差隨著主流過冷度和流速的增大而增大,隨著鉑膜功率的提高而縮短;高功率小流速時,氣泡直徑較大,但流速的提高會使氣泡脫離直徑變大;氣泡生長的同時伴隨著縱向和橫向跳躍:前者與流速...

鋰離子電池正極材料LiNi_0.4Co_0.2Mn_0.4O₂的合成及電化學性能————作者：鐘勝奎;劉樂通;劉潔群;姜吉瓊;王健;李陽;鄭少英;

摘要：采用碳酸鹽共沉淀法合成了Ni0.4Co0.2Mn0.4CO3前驅體,然后以Ni0.4Co0.2Mn0.4CO3和Li OH為原料,合成出了層狀鋰離子電池正極材料Li Ni0.4Co0.2Mn0.4O2。通過XRD,SEM和電化學測試對Li Ni0.4Co0.2Mn0.4O2材料的結構、形貌及電化學性能進行了測試和表征。結果表明,800℃下燒結12 h所得到的樣品,以0.2 C放電,其首次放電容量1...

染料敏化太陽能電池改性PEDOT:PSS對電極的制備————作者：鞏翠翠;胡志強;蘇巖;李璞;周紅茹;康姣;

摘要：通過滾涂法制備了一種摻雜二甲基亞砜(DMSO)和炭黑的改性PEDOT∶PSS新型對電極。固定炭黑的加入量,調節PEDOT∶PSS與DMSO的比例,用滾涂法制備了不同的薄膜對電極。通過四探針測試儀、掃描電鏡、太陽電池測試儀,分別測試了薄膜對電極的方塊電阻、表面形貌及其光電性能。結果表明,當PEDOT∶PSS溶液與DM-SO的質量比為4.5∶1時,制備的對電極組裝的電池性能最佳,短路電流密度為2.12...

碳納米管場電子發射性能不穩定性的分析————作者：王必本;王峰瀛;黨純;

摘要：利用等離子體增強熱絲化學氣相沉積制備了多壁碳納米管,并測試了它的場電子發射性能,發現碳納米管的場電子發射性能在測量過程中發生了變化。利用X射線能譜儀對碳納米管進行了表征,結果表明氧吸附在碳納米管上。氧的吸附導致了碳納米管的功函數發生了變化,造成碳納米管場電子發射性能不穩定。同時,本工作還分析了氫的吸附可能對碳納米管場電子性能的影響。因此,本工作對碳納米管在微電子領域的應用有一定的意義

X射線光刻和剝離技術制作聲表面波叉指換能器————作者：李晶晶;趙以貴;賈銳;李冬梅;牛潔斌;柯導明;陳軍寧;

摘要：提供了采用電子束光刻、X射線光刻和金屬剝離技術制作亞微米尺寸的聲表面波叉指換能器的方法。首先利用電子束光刻和微電鍍技術制作X射線光刻的掩模,然后利用X射線光刻和剝離技術高效地制作大面積、納米尺電、電極陡直均勻的叉指換能器。制備出的叉指電極特征尺寸為600 nm,面積為4 mm×6 mm,斷指率小于3‰,可應用于高頻聲表面波器件中。研究結果表明,X射線光刻結合剝離技術是一種制備高頻SAW器件的優良方...

高高寬比硬X射線聚焦波帶片的制作————作者：吳璇;陳軍寧;朱效立;牛潔斌;李亞文;胡松;謝常青;

摘要：相對于軟X射線顯微成像,硬X射線顯微成像對菲涅爾波帶片的吸收體厚度提出了更高的要求。采用電子束光刻和X射線光刻復制的方法,在聚酰亞胺薄膜上成功制作了高高寬比的菲涅爾波帶片。首先利用電子束光刻和微電鍍技術制作了X射線光刻的掩模,然后利用X射線光刻和微電鍍制作了高高寬比、線條側壁陡直的菲涅爾波帶片。復制后的波帶片最外環寬度500 nm,直徑1 mm,吸收體金厚度為3.6μm,高寬比達到7.2,可用于1...

Fe-ZnSe納米復合顆粒膜的制備和磁電阻效應————作者：張林;張昌文;王永娟;

摘要：采用射頻濺射法制備了"納米鐵磁金屬顆粒-半導體基體"Fe-ZnSe復合顆粒膜,研究了顆粒膜的結構、磁性和磁電阻效應。實驗結果表明,在室溫下Fe-ZnSe復合顆粒膜中納米Fe顆粒表現出超順磁性,顆粒膜的磁電阻變化率Δρ/ρ0數值達到4.6%;顆粒膜的磁電阻變化率Δρ/ρ0隨溫度的變化關系表明Δρ/ρ0數值隨溫度的下降而增大

Cu摻雜濃度對ZnO薄膜的結構、透光性和電學性質的影響————作者：徐慶巖;吳雪梅;諸葛蘭劍;陳學梅;吳兆豐;

摘要：采用射頻磁控濺射方法在導電玻璃和石英襯底上制備了未摻雜和不同Cu摻雜量的ZnO薄膜。XRD顯示,適當的Cu摻雜增強了ZnO的(002)衍射峰的強度;用紫外分光光度計測量了樣品的透光性,結果顯示,隨摻雜量的增加,其透光性減弱,但在Cu摻雜量為9.6%時其透光性還在60%以上。用四探針測量了樣品的表面電阻率,薄膜的電阻率隨Cu摻雜量的增加而增加

低相位噪聲毫米波平面振蕩器研究————作者：程知群;周云芳;張勝;

摘要：設計了一種低相位噪聲毫米波平面振蕩器電路,采用在振蕩器諧振端嵌入缺陷接地結構（DGS）方法來改善振蕩器的相位噪聲;同時在振蕩器混合集成中采用了芯片倒扣技術減小寄生效應。分析并比較了嵌入和未嵌入DGS結構兩種振蕩器電路的性能。測試結果表明,嵌入DGS結構的振蕩器相位噪聲比未嵌入的降低了5 dB⁷ dB

MOCVD側向外延生長GaN的研究————作者：朱麗虹;李曉瑩;劉寶林;

摘要：在低壓金屬有機化學氣相沉積(LP-MOCVD)系統中利用側向外延生長(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技術進行了二次外延GaN的研究。SEM觀察結果表明,翼區和窗口區寬度比值不同的圖形襯底,側向和縱向的生長速率不同;其AFM表面形貌圖像表明,長平的ELO-GaN表面平整,位錯密度較低。ELO-GaN的光致發光(PL)譜的帶邊峰比傳統方法生長的GaN的帶邊峰紅移了1...

大角度離子注入機控制系統軟件設計————作者：伍三忠;吳學忠;

摘要：介紹了大角度離子注入機控制系統軟件的設計和實現,重點介紹了控制系統的總體設計和系統軟件的結構設計、軟件的具體實施和系統軟件主要模塊的功能

聚合物Parylene C薄膜的反應離子刻蝕研究————作者：王亞軍;劉景全;沈修成;楊春生;郭中元;芮岳峰;

摘要：首先簡要介紹了聚合物Parylene,并以Parylene C薄膜為原料,進行反應離子刻蝕,著重研究了功率和工作氣壓對刻蝕速率的影響,并給出了優化的刻蝕工藝參數。結果表明,刻蝕速率隨功率增加而增大,當功率為80 W時,刻蝕速率達到0.44μm/min,適當增大功率有利于各向異性刻蝕。刻蝕速率在一定范圍內隨氣壓增大而增大,工作壓力為10.67 Pa時,刻蝕速率達到0.47μm/min;當氣壓超過10...

SOI微加速度傳感器結構設計與工藝實現————作者：徐春曉;房立清;周新偉;

摘要：設計了一種基于SOI技術的壓阻式抗沖擊微加速度計,解決了電阻在高溫時產生漏電流問題,有效擴展了其溫度應用范圍。設計方案合理應用光刻I、CP刻蝕等先進技術使其工藝得到實現。研究為下步耐高溫壓阻式傳感器的制作提供了依據

反磁懸浮渦流旋轉微陀螺的定子研究————作者：劉凱;張衛平;陳文元;劉武;李凱;戴福彥;

摘要：介紹的一種反磁懸浮渦流旋轉微陀螺的定子研究。利用現有實驗設備,通過多次實驗摸索,找到了一條實現反磁懸浮渦流旋轉微陀螺下定子合理的工藝路徑,并進行了測試,測試顯示定子結構完整正常

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