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《壓電與聲光》
關(guān)注()【雜志簡(jiǎn)介】
《壓電與聲光》雜志是中國(guó)電子科技集團(tuán)公司(電子工業(yè)部)第二十六研究所主辦的學(xué)術(shù)性與技術(shù)性綜合科技刊物,為中國(guó)期刊方陣期刊、全國(guó)優(yōu)秀科技期刊,全國(guó)中文核心期刊,Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)、中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)等國(guó)內(nèi)外權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)收錄期刊。本刊為16開(kāi),雙月刊,每逢雙月出版,國(guó)內(nèi)外公開(kāi)發(fā)行。
本雜志是全國(guó)優(yōu)秀科技期刊;全國(guó)中文核心期刊;Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)收錄期刊;中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)收錄期刊;中國(guó)科技論文統(tǒng)計(jì)源期刊;《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊(光盤(pán)版)》、《中國(guó)期刊網(wǎng)》全文收錄期刊。
主要報(bào)道國(guó)內(nèi)外在壓電、鐵電、聲電、聲光、電光等方面的功能器件和電子陶瓷、單晶、薄膜材料的新技術(shù)、新方法、新工藝、新產(chǎn)品、新動(dòng)向。主要欄目有:聲表面波技術(shù);聲光與光纖技術(shù);壓電及其他功能器件;單晶、薄膜及其他功能材料;實(shí)驗(yàn)技術(shù)與測(cè)試方法等。
本雜志涉及內(nèi)容廣泛,主要包括聲表面波技術(shù),慣性技術(shù),電子陶瓷技術(shù),聲光與光電子技術(shù),傳感器技術(shù),微米/納米及MEMS儀表,晶體、薄膜等。讀者對(duì)象主要是上述專(zhuān)業(yè)范圍內(nèi)從事科學(xué)研究、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的科技人員、管理人員、技術(shù)工人和相關(guān)專(zhuān)業(yè)的大專(zhuān)院校師生以及電子技術(shù)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員。
【收錄情況】
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先后獲全國(guó),部,省市級(jí)18次優(yōu)秀科技期刊獎(jiǎng)
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【欄目設(shè)置】
要欄目有:聲表面波技術(shù);聲光與光纖技術(shù);壓電及其他功能器件;單晶、薄膜及其他功能材料;實(shí)驗(yàn)技術(shù)與測(cè)試方法等。
雜志優(yōu)秀目錄參考:
高可靠性、高基頻及小延時(shí)晶體濾波器 彭勝春,陽(yáng)皓,周哲,楊莉,PENG Shengchun,YANG Hao,ZHOU Zhe,YANG Li
換能器匹配層參數(shù)優(yōu)化方法的研究 葉振洋,吳浩東,YE Zhenyang,WU Haodong
電極對(duì)薄膜體聲波諧振器性能的影響 焦向全,張睿,馬晉毅,杜波,鐘慧,石玉,JIAO Xiangquan,ZHANG Rui,MA Jinyi,DU Bo,ZHONG Hui,SHI Yu
36°YX-LiTaO3/SiO2結(jié)構(gòu)Love波氣體傳感器研究 陳桂,王文,謝曉,何世堂,CHEN Gui,WANG Wen,XIE Xiao,HE Shitang
低損耗、高矩形度聲表濾波器設(shè)計(jì)研究 金劍,蔣欣,鄢秋娟,王嵐,蔣世義,陳彥光,楊賢春,JIN Jian,JIANG Xin,YAN Qiujuan,WANG Lan,JIANG Shiyi,CHEN Yanguang,YANG Xianchun
半電極含金屬芯壓電纖維陣列研究 汪小華,張曉明,陳池來(lái),WANG Xiaohua,ZHANG Xiaoming,CHEN Chilai
慣性系下捷聯(lián)慣導(dǎo)系統(tǒng)最優(yōu)兩位置對(duì)準(zhǔn) 高偉,葉攀,白紅美,許偉通,GAO Wei,YE Pan,BAI Hongmei,XU Weitong
小周期壓電均勻化常數(shù)正則性分析與模擬 鄧明香,馮永平,DENG Mingxiang,F(xiàn)ENG Yongping
PBP壓電雙晶片驅(qū)動(dòng)器力學(xué)特性研究 胡凱明,文立華,李雙,HU Kaiming,WEN Lihua,LI Shuang
新型曲面換能器陣指向性研究 宋蕊,馮怡斯,張明,SONG Rui,F(xiàn)ENG Yisi,ZHANG Ming
數(shù)字調(diào)諧LC帶通濾波器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 肖琴,XIAO Qin
2.4 GHz石英窄帶低損耗聲表面橫波諧振濾波器 周衛(wèi),劉善群,陳峻,邵靜,劉積學(xué),吳燕,朱明,賴(lài)彬,喻衛(wèi)兵
基于四維切片圖的相控陣超聲輻射聲場(chǎng)研究 錢(qián)雪微,王召巴,趙霞,陳友興,QIAN Xuewei,WANG Zhaoba,ZHAO Xia,CHEN Youxing
一種硅微機(jī)械陀螺制造方法研究 趙軼卓,ZHAO Yizhuo
電力技術(shù)論文發(fā)表:數(shù)字可調(diào)直流穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)
摘 要:對(duì)所有電子產(chǎn)品而言,電源是其不可缺少的“心臟”。隨著電子技術(shù)的發(fā)展,對(duì)電源性能要求越來(lái)越高,不僅要求其直流穩(wěn)定,更對(duì)其電壓范圍的可調(diào)與精度有了更高的要求。文章在基于單片機(jī)技術(shù)基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一個(gè)數(shù)字可調(diào)直流穩(wěn)壓電源。該電源的硬件電路是由六個(gè)單元模塊組成,采用單片機(jī)AT89C52作為處理計(jì)算核心,完成外部調(diào)節(jié)與控制,實(shí)現(xiàn)了輸出電壓范圍數(shù)字可調(diào)、可擴(kuò)展的,精度為0.01伏特,并且具有一定負(fù)載功能的直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì),該電源系統(tǒng)具有一定的市場(chǎng)價(jià)值與推廣價(jià)值。
關(guān)鍵詞:直流穩(wěn)壓電源,數(shù)字可調(diào),STC89C52RC,LM317
1 概述
隨著電子技術(shù)的發(fā)展,人們對(duì)電源性能的要求越來(lái)越高,不僅要求電源輸出直流穩(wěn)定,更對(duì)其輸出電壓范圍的可調(diào)性與精度都要求甚高。相對(duì)于模擬可調(diào),數(shù)字可調(diào)更加精確、便捷。故文章設(shè)計(jì)了一個(gè)數(shù)字可調(diào)直流穩(wěn)壓電源,其具有精度0.01V的步進(jìn)調(diào)制、范圍為1.25V-10.00V(可擴(kuò)展)的直流電壓輸出、輸出誤差較小且具有帶負(fù)載和數(shù)碼顯示功能等特點(diǎn)。
壓電與聲光最新期刊目錄
一種低頻高靈敏度壓電MEMS聲接收器設(shè)計(jì)————作者:王登攀;黃晶;趙德鋒;王飛;王露;劉文怡;苗晉威;張立宇;袁宇鵬;胡義東;
摘要:為了提高低頻段的靈敏度,基于ScAlN薄膜設(shè)計(jì)了一種開(kāi)縫式低頻高靈敏度MEMS聲傳感器結(jié)構(gòu),并分析了開(kāi)縫數(shù)量對(duì)諧振頻率和電壓輸出的影響規(guī)律。制作微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)聲接收器樣品,當(dāng)諧振頻率為29.3kHz時(shí),在20~30kHz內(nèi)測(cè)得其最高靈敏度高于-60dB,說(shuō)明所提出的開(kāi)縫式結(jié)構(gòu)能在低頻段實(shí)現(xiàn)高靈敏度
應(yīng)用于5G的三頻MIMO天線(xiàn)設(shè)計(jì)————作者:周籽怡;楊志鵬;杜成珠;
摘要:隨著5G通信技術(shù)的商用和衛(wèi)星通信的快速發(fā)展及技術(shù)創(chuàng)新,設(shè)計(jì)了一種使用“X”型隔離結(jié)構(gòu)的三頻二元多輸入多輸出(MIMO)天線(xiàn)。天線(xiàn)由兩個(gè)倒置且平行放置的單元輻射貼片組成,并通過(guò)在其正面、背面加載隔離枝節(jié)來(lái)提高天線(xiàn)的隔離度,同時(shí)在天線(xiàn)背面采用開(kāi)槽技術(shù)來(lái)改善天線(xiàn)的帶寬。天線(xiàn)整體尺寸僅有37 mm×25 mm×0.8 mm,實(shí)測(cè)工作頻段為4.3~5.8 GHz、8.02~9.3 GHz和12.2~14.8...
ICP刻蝕Mo側(cè)壁角度及刻蝕速率的研究————作者:田本朗;梁柳洪;何成勇;羅淦;郭耀祖;米佳;
摘要:采用基于Cl基氣體的電感耦合等離子體(ICP)干法刻蝕設(shè)備對(duì)金屬M(fèi)o薄膜進(jìn)行刻蝕,研究了刻蝕條件對(duì)側(cè)壁角度以及刻蝕速率的控制。通過(guò)調(diào)節(jié)ICP干法刻蝕過(guò)程中射頻源功率、ICP離子源功率、腔體壓力、混合氣體流量比例等工藝參數(shù),實(shí)現(xiàn)了14.8°~85.0°圖形側(cè)壁傾角,表明圖形側(cè)壁角度可在大范圍內(nèi)得到控制,刻蝕速率可在148~232nm/min調(diào)節(jié),為薄膜體聲波諧振器(FBAR)器件研制工藝打下良好基礎(chǔ)...
壓電超聲換能器金屬外殼切削工藝研究————作者:李亞飛;董姝;李瑞峰;鮮曉軍;唐盤(pán)良;馬晉毅;
摘要:為滿(mǎn)足金屬導(dǎo)電物體探測(cè)的要求,采用機(jī)械方法切削壓電超聲換能器金屬外殼以形成0.10 mm絕緣臺(tái)階。借助有限元仿真軟件ANSYS/LS DYNA分析發(fā)現(xiàn),徑向切削過(guò)程中陶瓷片所受應(yīng)力為56.35 MPa,遠(yuǎn)小于軸向切削過(guò)程中陶瓷片所受應(yīng)力216.25 MPa,故在分段疊加切削過(guò)程中陶瓷片所受的應(yīng)力變形明顯更小。結(jié)合理論分析和切削試驗(yàn)制定了3次疊加徑向進(jìn)刀工藝,優(yōu)化了金屬殘留毛刺去除方法,解決了切削過(guò)...
SAW芯片的質(zhì)量控制與可靠性測(cè)試方法的研究————作者:艾毅智;楊怡;陳虹羽;
摘要:隨著通信設(shè)備向便攜化、輕薄化發(fā)展,對(duì)SAW芯片的小體積、高性能需求逐漸增加,為確保產(chǎn)品交付質(zhì)量,需要在芯片研發(fā)、生產(chǎn)過(guò)程中開(kāi)展有效的質(zhì)量控制和可靠性測(cè)試。通過(guò)對(duì)SAW芯片故障模式及影響的分析,找出了設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程存在的風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn),制定質(zhì)量控制措施并研究可靠性測(cè)試方法,提升了芯片合格率,進(jìn)而驗(yàn)證了質(zhì)量控制措施和可靠性測(cè)試方法的有效性,在業(yè)內(nèi)具有一定的借鑒意義
摻鈰釓鎵鋁石榴石閃爍晶體輻照效應(yīng)研究————作者:韓恒利;王強(qiáng);萬(wàn)前銀;屈菁菁;安康;陳研;肖雄;任科靜;丁雨憧;
摘要:使用60Co放射源對(duì)摻鈰釓鎵鋁石榴石(Ce:GAGG)閃爍晶體樣品進(jìn)行輻照,劑量率為3×10~5 Rad/h,輻照總劑量分別為10~6Rad、10~7 Rad和10~8 Rad。通過(guò)測(cè)試輻照前后C e:GAGG閃爍晶體樣品的透過(guò)率、相對(duì)光輸出、能量分辨率及衰減時(shí)間來(lái)研究輻照效應(yīng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,經(jīng)過(guò)10~8Rad輻照,晶體的透過(guò)率在450~900 nm波段無(wú)明顯變化,在320 ...
一種射頻SiP模組鏈路快速驗(yàn)證方法研究————作者:崔夢(mèng)琦;余懷強(qiáng);張磊;王璽;代春玥;
摘要:針對(duì)射頻SiP模組設(shè)計(jì)周期長(zhǎng)、成本高、兼容性差等問(wèn)題,提出了一種射頻SiP模組鏈路快速驗(yàn)證方法。該方法將射頻SiP模組內(nèi)的射頻器件分裝于不同積木塊中,再將積木塊拼接形成有目標(biāo)電路功能的驗(yàn)證鏈路。通過(guò)對(duì)該鏈路進(jìn)行測(cè)試,可快速驗(yàn)證射頻SiP模組設(shè)計(jì)是否達(dá)標(biāo)。為實(shí)現(xiàn)積木塊間良好互連,設(shè)計(jì)了高頻連接橋壓接結(jié)構(gòu)。測(cè)試結(jié)果經(jīng)去嵌計(jì)算,得到18GHz內(nèi)插入損耗最大值為1.34dB。通過(guò)搭建與測(cè)試二次變頻射頻Si...
PMUT集成Helmholtz諧振腔對(duì)測(cè)距性能產(chǎn)生的影響分析————作者:劉浩杰;塔桂峰;姚術(shù)濤;李加?xùn)|;苗斌;商文玲;馮昌坤;陶金燕;
摘要:壓電微機(jī)械超聲換能器(PMUT)是超聲測(cè)距領(lǐng)域的重要傳感器件,增強(qiáng)PMUT的測(cè)距性能對(duì)促進(jìn)工程化應(yīng)用具有重要意義。基于Helmholtz諧振腔體的吸聲和擴(kuò)聲特性,設(shè)計(jì)了吸收PMUT背部聲波的腔體結(jié)構(gòu)及正向擴(kuò)聲的喇叭口結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在2m距離處,集成Helmholtz諧振腔體的PMUT在超聲信號(hào)幅值上有顯著提升,達(dá)到321.13mV,相較于常規(guī)貼片薄膜下的腔體結(jié)構(gòu),信號(hào)幅度增加了90.5mV,...
多層PZT陶瓷自熱溫度影響因素分析————作者:宜亞麗;曠慶文;陳美宇;秦越;韓雪艷;褚祥誠(chéng);金賀榮;
摘要:多層PZT陶瓷作為壓電驅(qū)動(dòng)器的核心組件,其壓電性能受自熱溫度影響,在高交變電壓作用下易發(fā)生失效。該文從交變電壓特性、陶瓷多層結(jié)構(gòu)角度對(duì)PZT陶瓷自熱溫度作用規(guī)律展開(kāi)研究。首先基于掃描電鏡下陶瓷斷面結(jié)構(gòu)形貌,建立了多層PZT陶瓷細(xì)觀(guān)結(jié)構(gòu)仿真模型;然后搭建了溫度測(cè)量實(shí)驗(yàn)平臺(tái),開(kāi)展陶瓷表面自熱溫度測(cè)量實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證;最后分析了交變電壓幅值、頻率特性和陶瓷壓電層、死層厚度對(duì)陶瓷表面自熱溫度的作用機(jī)理。結(jié)果表...
基于GRU-NN預(yù)測(cè)模型的壓電作動(dòng)器MPC-KAN控制方法————作者:郭辰星;李自成;徐瑞瑞;
摘要:為了提高壓電作動(dòng)器(PEAs)的軌跡跟蹤性能,提出了一種基于門(mén)控遞歸單元(GRU)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(NN)預(yù)測(cè)模型的Kolmogorov-Arnold網(wǎng)絡(luò)前饋模型預(yù)測(cè)控制(MPC-KAN)。與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)逆模型控制不同,該方法使用GRU-NN正向建模,并根據(jù)模型預(yù)測(cè)結(jié)果調(diào)整模型預(yù)測(cè)控制(MPC)的輸出。首先,根據(jù)線(xiàn)性化模型選擇GRU-NN的訓(xùn)練輸入特征,并訓(xùn)練該網(wǎng)絡(luò)。然后,為了提高優(yōu)化效果和縮短優(yōu)化時(shí)間,將麻...
基于差分測(cè)距的高精度UWB定位算法————作者:羅忠渝;湯杰友;趙忠華;
摘要:針對(duì)室內(nèi)環(huán)境存在多種誤差,導(dǎo)致超寬帶(UWB)定位精度受限、穩(wěn)定性較弱的問(wèn)題,提出了基于差分測(cè)距的擴(kuò)展卡爾曼濾波算法(DREKF)。該算法對(duì)UWB定位系統(tǒng)的通信協(xié)議進(jìn)行了改進(jìn),通過(guò)引入差分測(cè)距,在每次定位時(shí)對(duì)各基站的誤差模型進(jìn)行更新,實(shí)時(shí)校正測(cè)距誤差,并通過(guò)改進(jìn)的擴(kuò)展卡爾曼濾波算法對(duì)標(biāo)簽進(jìn)行定位,提升定位精度和穩(wěn)定性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,DREKF算法在視距情況下的水平定位精度達(dá)到了3 cm,在非視距情...
面向無(wú)人機(jī)載微慣導(dǎo)的一種改進(jìn)自適應(yīng)傳遞對(duì)準(zhǔn)算法————作者:程耀強(qiáng);楊鵬翔;孫銘垚;趙志遠(yuǎn);
摘要:傳遞對(duì)準(zhǔn)是微慣導(dǎo)應(yīng)用于精確制導(dǎo)武器的關(guān)鍵技術(shù),關(guān)系著機(jī)載武器系統(tǒng)的作戰(zhàn)效能。該文研究了微慣導(dǎo)在騰盾無(wú)人機(jī)上掛飛的傳遞對(duì)準(zhǔn)方案。首先基于“速度+姿態(tài)”匹配傳遞對(duì)準(zhǔn)方案,提出了一種改進(jìn)自適應(yīng)Kalman濾波方法,將桿臂效應(yīng)和數(shù)據(jù)延時(shí)分別進(jìn)行在線(xiàn)補(bǔ)償和實(shí)時(shí)估計(jì)。然后基于騰盾無(wú)人機(jī)平臺(tái)進(jìn)行算法掛飛驗(yàn)證,與經(jīng)典Kalman濾波方法相比,改進(jìn)算法可有效提升傳遞對(duì)準(zhǔn)的性能,滿(mǎn)足航向角對(duì)準(zhǔn)精度為0.65°(1σ)...
MCP-SSHI接口電路實(shí)現(xiàn)多通道寬頻壓電能量的高效提取————作者:李繼禎;胡寧;吉振峰;張?jiān)婄?趙晨曦;周美彤;吳良科;牟笑靜;
摘要:隨著物聯(lián)網(wǎng)和智能系統(tǒng)的快速發(fā)展,對(duì)傳感器網(wǎng)絡(luò)中能量采集技術(shù)的需求不斷增加。針對(duì)多通道寬頻壓電能量信號(hào)特征差異大、能量提取效率低的問(wèn)題,提出了一種適用于弱耦合環(huán)境的多通道并聯(lián)同步開(kāi)關(guān)電感(MCP-SSHI)接口電路。該電路保持了高模塊的拓展性和結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)潔性,同時(shí)還具備處理任意相位關(guān)系(0~2π)多通道輸入電壓的能力。測(cè)試結(jié)果表明,在處理六路壓電能量收集器(PEH)信號(hào)時(shí),MCP-SSHI電路可高效提...
基于CS-PVP K30復(fù)合物薄膜基的QCM濕度傳感器————作者:王艷;陶金;羅健;陳思毅;彭宏;王云霄;尹澤宇;
摘要:石英晶體微天平(QCM)作為納克級(jí)精度傳感器,通過(guò)在敏感區(qū)添加濕敏材料,能夠在氣相條件下高精度檢測(cè)濕度,具有檢測(cè)范圍廣、成本低和制作簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。為提升濕敏材料的性能,擴(kuò)展基于QCM的濕度傳感器的應(yīng)用,構(gòu)建了基于殼聚糖(CS)基底,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)成膜機(jī)理的復(fù)合物薄膜基的QCM濕度傳感器。實(shí)驗(yàn)證明該傳感器響應(yīng)、恢復(fù)時(shí)間分別為13 s、14 s,在相對(duì)濕度11%~97%檢測(cè)范圍內(nèi)的靈敏度達(dá)到5...
微生物聚焦的微流控芯片研究————作者:袁宇鵬;蔣卓雅;李順波;龍帥;李小飛;
摘要:針對(duì)流式細(xì)胞儀中聚焦細(xì)菌、酵母菌等小直徑微生物困難的問(wèn)題,開(kāi)展微生物聚焦的微流控芯片研究。在傳統(tǒng)直通道的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)新型方形通道,建立方形通道微流控芯片的有限元模型,通過(guò)流體與運(yùn)動(dòng)軌跡的有限元仿真實(shí)現(xiàn)對(duì)通道寬度、長(zhǎng)度等結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計(jì)。通道寬度為20μm、單位長(zhǎng)度為80μm時(shí),粒子仿真運(yùn)動(dòng)范圍為通道的63%。提出了基于硅基襯底的微流控芯片制備方法,制備出方形通道微流控芯片實(shí)物。搭建了流式細(xì)胞儀原理...
釹摻雜BSPT基高溫壓電陶瓷的性能研究————作者:涂浩;官尚義;史偉;陳強(qiáng);邢潔;
摘要:采用傳統(tǒng)固相反應(yīng)法制備了Nd摻雜的BiScO3-PbTiO3(BSPT)高溫壓電陶瓷。在確定BSPT準(zhǔn)同型相界的基礎(chǔ)上,系統(tǒng)研究了Nd摻雜對(duì)其結(jié)構(gòu)和性能的影響。結(jié)果表明,通過(guò)Nd摻雜可調(diào)控BSPT陶瓷相結(jié)構(gòu)和疇結(jié)構(gòu),進(jìn)而有效提高其壓電性能和溫度穩(wěn)定性。當(dāng)BS摻雜含量(摩爾分?jǐn)?shù))為37%,Nd摻雜濃度(摩爾分?jǐn)?shù))為3.0%時(shí),陶瓷具有最佳的壓電性能,其壓電...
TC-SAW SiO2 溫補(bǔ)層性能研究————作者:賀貞;李燕;田本朗;馬晉毅;肖強(qiáng);梁柳洪;
摘要:為制備高性能的TC-SAW SiO2 溫補(bǔ)層,分別采用電子束蒸發(fā)鍍膜和反應(yīng)磁控濺射制備 SiO2 薄膜,研究?jī)煞N制備工藝對(duì) SiO2 薄膜致密性、表面粗糙度及彈性模量的影響。采用掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、X線(xiàn)衍射儀對(duì) SiO2 薄膜的形貌和晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。采用橢偏儀測(cè)試薄膜折射率及腐蝕后的膜厚變化量,并通...
融合蘭姆波損傷指數(shù)的碳纖維板分層缺陷成像方法————作者:巫軼倫;馮搏;
摘要:蘭姆(Lamb)波在結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測(cè)中具有潛在的應(yīng)用價(jià)值,但有關(guān)分層損傷的研究大多局限于分層定位和精度提高,對(duì)分層尺寸測(cè)量的研究較少。研究了碳纖維復(fù)合材料板中分層缺陷尺寸對(duì)不同波長(zhǎng)Lamb波的影響。通過(guò)有限元模擬研究了線(xiàn)性調(diào)頻Lamb波A0模態(tài)與不同分層尺寸之間的相互作用,發(fā)現(xiàn)當(dāng)波長(zhǎng)大于分層尺寸時(shí),擾動(dòng)程度隨分層尺寸的增大而單調(diào)增大,當(dāng)波長(zhǎng)小于分層尺寸時(shí),擾動(dòng)程度呈振蕩狀態(tài)的現(xiàn)象。借助該現(xiàn)象提出一種碳...
一種BGA封裝的低損耗毫米波前端模組設(shè)計(jì)————作者:蒲星明;趙怡;董剛;韓世宏;范齊升;余懷強(qiáng);
摘要:針對(duì)小型化、低成本化、集成化T/R組件的需求,提出了一種工作在30~40 GHz的毫米波前端模組。該模組采用高溫共燒陶瓷(HTCC)基板和球柵陣列(BGA)封裝,實(shí)現(xiàn)了4個(gè)收發(fā)通道的高密度集成,具備信號(hào)放大、功率分配和幅相控制等功能。通過(guò)對(duì)該模組毫米波信號(hào)垂直互連結(jié)構(gòu)的仿真優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了該結(jié)構(gòu)在毫米波頻段的低損耗信號(hào)傳輸。設(shè)計(jì)制作PCB測(cè)試板對(duì)該垂直互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證,經(jīng)計(jì)算得到該垂直互連結(jié)構(gòu)最高...
面向5G應(yīng)用的超寬帶MIMO天線(xiàn)設(shè)計(jì)————作者:王致遠(yuǎn);楊福慧;杜成珠;魏書(shū)榮;
摘要:針對(duì)目前國(guó)內(nèi)5G中頻段的寬帶覆蓋問(wèn)題以及面向未來(lái)6G系統(tǒng)在Sub-7 GHz頻段的應(yīng)用,設(shè)計(jì)了一款可覆蓋5G頻段的共面波導(dǎo)(CPW)饋電超寬帶高隔離多輸入多輸出(MIMO)天線(xiàn)。單元天線(xiàn)以單個(gè)橢圓貼片為基礎(chǔ),通過(guò)添加三叉戟結(jié)構(gòu)和切角操作實(shí)現(xiàn)了天線(xiàn)的超寬帶特性。天線(xiàn)含有2個(gè)單元槽天線(xiàn),可用于2×2的MIMO天線(xiàn)陣列,天線(xiàn)尺寸為118 mm×66 mm×0.8 mm。兩個(gè)單元天線(xiàn)采用平行放置模式,且兩...
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