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　　電子元件與材料最新期刊目錄

基于小型半模扇形諧振器的單頻和雙頻濾波器設計————作者：張勝;武禧龍;劉海;趙恩惠;喬紅亮;

摘要：基于一種小型半模扇形基片集成波導諧振器，分別設計出一種單頻帶通濾波器和一種雙頻帶通濾波器。首先，通過在諧振器表面引入兩個徑向槽，它們能夠獨立控制四個模式的諧振頻率，實現了阻帶帶寬達3.3 GHz的單頻濾波器。其次，在源和負載之間引入交叉枝節，從而實現了中心頻率可調的雙頻濾波器。兩種濾波器均具有傳輸零點，極大地提高了濾波器的帶外抑制特性。最后，對雙頻濾波器進行了加工和測量，實測中心頻率為0.94 G...

片式鉭電容器浪涌穩定性研究————作者：田超;鄧俊濤;胡鵬;鄭傳江;王鳳華;

摘要：片式鉭電容器的浪涌穩定性對電路系統的安全性和可靠性至關重要，通過浪涌擊穿電壓和浪涌電流測試研究了水汽、溫度和真空對浪涌穩定性的影響。結果表明，由于異常瞬態效應，水汽飽和使聚合物片式鉭電容器的浪涌擊穿電壓較干燥狀態提高約18%,1 ms浪涌電流降低兩個數量級以上。溫度從-55℃升高至125℃時，浪涌擊穿電壓降低約20%,浪涌電流逐漸增大，MnO₂片式鉭電容器的1 ms浪涌電流均...

采用新型差分有源電感的寬調諧范圍低相位噪聲VCO————作者：王雪;張萬榮;宋金達;張輝;楚尚勛;

摘要：提出了一種基于新型差分有源電感（DAI）的小面積、寬調諧范圍、低相位噪聲的電感-電容型壓控振蕩器(L_AIC VCO)。其中DAI主要由差分正跨導器、改進型負跨導器以及反饋電阻構成，以獲得電感值的大調諧范圍，且同時保持較高Q值和較低的噪聲值；將DAI代替VCO中的傳統無源LC諧振腔，以減小芯片面積、拓展振蕩頻率的可調范圍、降低相位噪聲；同時采用RC濾波負阻產生電路，以濾除流入L...

一種高性能帶隙基準源的設計————作者：王凌翔;張濤;劉勁;

摘要：針對傳統帶隙基準電壓受運放失調電壓影響較大，而無運放帶隙基準電源的噪聲抑制效果不佳的問題，設計了一種降低失調電壓影響的高性能帶隙基準電路。設計中通過改變三極管的連接方式使得該結構具有抑制失調電壓的能力和更高的電源噪聲抑制能力，從而提高了輸出電壓的精度和電源抑制比(PSRR)。同時，利用三極管基極電流的負溫度高階項對帶隙輸出進行低溫曲率補償，使得帶隙基準電壓具有極低的溫度系數。該電路采用華虹宏力0....

基于改進斑馬算法的GaN HEMT混合小信號建模————作者：李暢;王軍;

摘要：為了提高半導體器件小信號建模精度并解決優化算法易陷入局部最優解的問題，提出了一種基于改進斑馬優化算法(Improved Zebra Optimization Algorithm, IZOA)的氮化鎵高電子遷移率晶體管(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor, GaN HEMT)混合小信號建模方法。采用數學修正法和直接提取法提取小信號參數，...

基于動態復合壽命的LED多量子阱載流子分布計算————作者：馮曉雨;肖秧;房永恒;田海濤;劉宏偉;張東炎;

摘要：為了得到多量子阱(MQWs)發光二極管(LED)在正向偏壓下更精確的載流子壽命和濃度分布，研究了在動態復合壽命條件下LED的MQWs載流子復合特性和分布特性。研究工作中，使用金屬有機氣相沉積(MOCVD)設備生長了AlGaInP/GaInP MQWs LED材料并加工為紅光LED器件。利用時間分辨光譜測試了LED的載流子復合壽命。結合材料和器件結構參數建立了MQWs LED載流子計算模型，該模型使...

一種具有快速恢復能力的過流保護電路設計————作者：晁慧;陳思寧;陳海進;

摘要：為了減小過流對電路的損害，設計了一種用于紋波電壓二次方恒定導通時間（V²COT）控制的降壓（BUCK）轉換器的過流保護電路。通過調整紋波注入電路的輸出波形，延長其輸出信號小于反饋電壓信號的時間，推遲導通信號的到來，從而降低系統開關頻率。采用0.18μm的BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝完成了電路設計和仿真驗證。結果表明，當限流閾值為3.9 A時，開關頻率最低降...

一種自檢測快起振8 MHz CMOS晶振電路設計————作者：陳小鈺;鄭迅;倪屹;

摘要：在微處理器中，為了解決高速外部時鐘源中傳統的皮爾斯晶體振蕩器起振時間長的問題，提出了一種自檢測快起振8 MHz CMOS晶振電路。通過自啟動電路到差分放大電路之間的電容建立正反饋回路，提升運算放大器的偏置電流，從而加快輸出信號的響應時間。利用開關占空比整形電路完成波形整形與電平移位，實現內部集成電源到數字電源的轉換。此外，為了確保晶振電路的精度和可靠性，設計了基于電容充放電與二分頻電路的自檢測機制...

疊層片式熱敏電阻表面絕緣處理技術的研究進展————作者：程飛鵬;文昕;向艷;辜麗歡;

摘要：微電子技術的發展和對電子產品微型化的需求引領著熱敏電阻朝著小型化、高可靠性的方向發展，對熱敏電阻的材料及封裝技術也提出了更高的要求。表面絕緣化處理是影響疊層片式熱敏電阻封裝尺寸及可靠性的關鍵工藝，然而傳統的玻璃噴涂工藝難以適應小尺寸元件的生產。為此針對疊層片式熱敏電阻為抑制電鍍時產生爬鍍、降低鍍液侵蝕的風險及提高環境耐受性而常用的幾種表面絕緣處理技術進行了調研，對近年來片式元件行業廠商廣泛使用的噴...

無線無源聲表面波傳感器溫度補償方法————作者：徐靜寧;蔡飛達;張勇斌;盧銘瑞;王晗;

摘要：針對密閉空間內部狀態參數的長期監測，設計了一種基于聲表面波(SAW)原理的無源無線應變傳感器。為解決應變測量中溫度干擾的問題，提出了一種基于最小二乘法的溫度補償方法。通過微擾理論和有限元分析，對傳感器的應變系數和溫頻系數進行了仿真計算，并對應變系數與溫度的關系進行了多項式擬合，建立了應變系數對溫度的補償公式。構建了SAW應變傳感器測試系統，在30,36,50和60℃條件下，測得了0～1000με范...

嘧啶提高多晶硅CMP去除速率的機理研究————作者：張瀟;周建偉;楊云點;羅翀;欒曉東;邵祥清;李瑾;

摘要：為了提高多晶硅去除速率，從化學作用和機械作用兩個方面揭示嘧啶在多晶硅表面的影響機理。一方面，X射線光電子能譜實驗表明嘧啶的加入在多晶硅表面產生吸附，促進了Si-Si鍵的極化斷裂以及Si-O鍵的形成，加速了多晶硅表面軟質層的形成以及機械作用對其的去除。另一方面，Zeta電位、摩擦力、溫度數據表明嘧啶水解產生的嘧啶陽離子降低了SiO₂磨料之間的靜電斥力，導致表面間的摩擦力增大，加...

基于第一性原理計算的磁性吸收劑電磁參數預測————作者：劉佳熙;白興智;張楠;陸海鵬;

摘要：磁性吸收劑是吸波材料的重要組成部分，其性能優化與設計一直是該領域的研究前沿。本研究結合第一性原理計算與經典電磁理論，從微觀到宏觀，分析原子組成結構與磁性吸收劑微波電磁參數之間的關系，實現吸收劑的跨尺度研究。采用第一性原理計算的方法，選取Fe₁₅Si、FeCo、Fe₁₂Si₂Al₂三種典型球狀磁性吸收劑作為研究對...

基于LaCoFeO₃Co_xFe_y的高性能電磁波吸收材料研究————作者：晏金輝;葉升言;張明明;楊金培;馬瑞;

摘要：為了提高配網線路缺陷感知裝置的電磁信號識別距離，研究提出了基于LaCoFeO₃Co_xFe_y的電磁波吸收材料，通過脫溶策略將納米Co_xFe_y合金顆粒均勻嵌入至鈣鈦礦氧化物LaCoFeO₃基體表面，能有效避免團聚效應，優化材料的電磁波吸收性能。實驗結果顯示，隨著硝酸鈷添加...

正負極配比對鎳鐵錳酸鈉//活性炭(NFM//AC)鈉離子電容器性能的影響————作者：安仲勛;范羚羚;夏恒恒;

摘要：鈉離子電容器（SICs）是近些年來興起的新型儲能器件，相較于雙電層電容器（EDLCs）具有更高的能量密度，相較于鈉離子電池（SIBs）具有更高的功率密度，同時兼具了成本和長循環壽命優勢，雖然國內外研究還處于起步階段，但已成為電化學儲能器件領域的研究熱點。本文以鎳鐵錳酸鈉（NFM）為正極，活性炭（AC）為負極，采用六氟磷酸鈉（NaPF₆）/乙腈（CH₃CN...

高共模抑制比的肌電傳感器的電路設計————作者：楊成英;

摘要：肌電圖(EMG)被公認是診斷和鑒別神經肌肉疾病必備的客觀檢查手段。然而，傳統肌電傳感器電路存在共模抑制比(CMRR)低、濾波不完整的問題，導致肌電圖波動大、精度低。基于具有低失調電壓、低增益漂移特性的ADI芯片AD8221放大器，以及具備低輸入偏置電流、低輸入失調電流以及高轉換率的運算放大器TL084,設計了一款高精度的肌電圖傳感器采集電路。該電路利用運算放大器的特點，將微分電路和絕對值電路有效融...

面向表面行波散射抑制的阻抗調制變量分析————作者：包家昕;鐘小丹;崔浩;

摘要：針對傳統雷達散射吸波材料存在低頻性能差、重量大、環境適應性差等問題，在材料不連續處添加漸變阻抗結構可以作為一種抑制表面行波散射的方法。通過建立金屬與空氣分界面的電磁模型，比較了在分界面處引入漸變阻抗結構前后的雷達散射情況，分析了漸變阻抗結構對金屬與空氣分界面的行波散射的影響；系統地研究了寬頻段內水平極化入射電磁波阻抗調制變量對表面行波散射的抑制效果，并對其規律進行了總結。電磁仿真計算結果表明：雷達...

一種應用于溫度傳感器的高PSRR低溫漂帶隙基準源設計————作者：王進軍;馮巖;李梓騰;張世奇;段玉博;

摘要：針對傳統帶隙基準不能滿足溫度傳感器高性能需求問題，在電壓模帶隙基準的基礎上，采用SMIC018工藝設計一種可用于溫度傳感器中的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電壓源。利用BJT管電流放大倍數β與溫度呈近似線性關系的特性，通過在雙極型晶體管的基極到地之間增加一個電阻，實現溫度的二階曲率補償，降低溫漂系數。與現有的二階溫度補償技術相比具有結構簡單、功耗低、補償效果更理想的優點。同時采用PSRR(Power ...

碳和鈦酸鋰共濺射對鈷酸鋰電化學性能的影響————作者：鄭志強;朱歸勝;徐華蕊;蔣坤朋;趙昀云;陳彩明;

摘要：鈷酸鋰是最早實現商業化的鋰離子電池正極材料之一，在高電壓條件下容易發生電極結構相變，嚴重影響其循環壽命。本研究采用碳和鈦酸鋰共濺射的方法在鈷酸鋰電極片表面形成復合涂層，以提升其循環穩定性和電化學性能。研究結果顯示，在3.0～4.5 V電壓范圍內，復合涂層改性后的鈷酸鋰電極循環300次后仍保持84.3%的容量保持率。此外，復合涂層還可以提高鋰離子擴散系數，從而提高電池的倍率性能，當電流密度為5C時，...

銅納米線嵌入對氧化銦錫薄膜的柔性和導電性提升研究————作者：石和平;閆光輝;于仕輝;

摘要：氧化銦錫(ITO)薄膜是制備新一代柔性透明導電薄膜的關鍵材料，但差的導電性和機械柔性限制了其在柔性光電子器件中的實際應用。利用磁控濺射技術和噴涂工藝相結合的方法將銅納米線(Cu NW)嵌入到ITO薄膜中，有效提高了ITO薄膜的導電性和機械柔性。采用掃描電子顯微鏡對ITO-Cu NW復合薄膜形貌進行了分析，利用紫外可見分光光度計和四探針測試儀分別對ITO-Cu NW復合薄膜的電學性能和光學性能進行了...

片式鉭電容器肖特基發射電流的機理分析————作者：鄧俊濤;鐘山;代東升;胡丹單;余偉;潘齊鳳;

摘要：基于肖特基發射電流傳導機制，研究一種測試方法，能夠推導計算片式鉭電容器的肖特基勢壘，并分析肖特基發射電流的形成原因，進而評估擊穿時間，通過半定量分析陰極制備雜質殘留，提出了片式鉭電容器的一種混合結構模型。結果表明，MnO₂陰極摻雜樣品組的肖特基勢壘低，擊穿時間短；非摻雜組的肖特基勢壘高，擊穿時間長。說明陰極材料中的金屬雜質是導致片式鉭電容器高溫漏電流增大乃至擊穿的主要原因。在...

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