【雜志簡介】

　　《電子與封裝》雜志是目前國內唯一一本全面報道封裝與測試技術、半導體器件和IC設計與制造技術、產品與應用以及前沿技術、市場信息等的技術性刊物,是中國電子學會生產技術學分會(電子封裝專業)會刊、中國半導體行業協會封裝分會會刊。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　ASPT來源刊

　　中國期刊網來源刊

　　【欄目設置】

　　主要欄目：政策與策略、專家論壇、綜述、封裝與組裝、電路設計與測試、器件與制造、支撐技術、產品、應用與市場。

　　雜志優秀目錄參考：

　　有關QFN72和CQFN72的熱阻計算 賈松良，蔡堅，王謙，丁榮崢，JIA Songliang，CAI Jian，WANG Qian，DING Rongzheng

　　氮化鋁-鋁復合封裝基板的制備 李明鶴，彭雷，王文峰，LI Minghe，PENG Lei，WANG Wenfeng

　　CBGA植球工藝成熟度提升方法的研究 黃穎卓，練濱浩，林鵬榮，田玲娟，HUANG Yingzhuo，LIAN Binhao，LIN Pengrong，TIAN Lingjuan

　　基于JC-5600 ATE的單/雙電源運算放大器測試方法 趙樺，章慧彬，ZHAO Hua，ZHANG Huibin

　　一種適于FPGA芯片的SRAM單元及外圍電路設計 徐新宇，徐玉婷，林斗勛，XU Xinyu，XU Yuting，LIN Douxun

　　一種新型基準電流源電路設計 黃召軍，朱琪，施斌友，陳鐘鵬，萬書芹，張濤，HUANG Zhaojun，ZHU Qi，SHI Binyou，CHEN Zhongpeng，WAN Shuqin，ZHANG Tao

　　一種低抖動電荷泵鎖相環頻率合成器 楊霄壘，施斌友，黃召軍，季惠才，YANG Xiaolei，SHI Binyou，HUANG Zhaojun，JI Huicai

　　基于虛擬化技術的FPGA開發平臺設計 張海平，萬清，ZHANG Haiping，WAN Qin

　　鋁線鍵合的等離子清洗工藝研究 鐘小剛，ZHONG Xiaogang

　　CMOS工藝中抗閂鎖技術的研究 朱琪，華夢琪，ZHU Qi，HUA Mengqi

　　外延參數穩定性控制方法 王海紅，高翔，WANG Haihong，GAO Xiang

　　電路級熱載流子效應仿真研究 高國平，曹燕杰，周曉彬，陳菊，GAO Guoping，CAO Yanjie，ZHOU Xiaobin，CHEN Ju

　　高密度SIP設計可靠性研究 王良江，楊芳，陳子逢，WANG Liangjiang，YANG Fang，CHEN Zifeng

　　管理科學投稿：不銹鋼金相檢驗過程中的電解制樣的應用分析

　　摘 要：在實際的金相檢驗工作中，通常會采取電解法，將電流通入電解質中，通過發生反應對金屬的內部結構有更好的認識，與機械制樣方法相比，該方法首先可以避免拋光時產生的雜質，其次速度快，消耗時間少，而且能夠節約材料，工作效率大大提高，能取得更好的制樣效果，應用越來越廣泛。本文對其在金相檢驗中的應用進行了簡要分析。

　　關鍵詞：管理科學,不銹鋼金相檢驗,電解制樣,應用分析

　　引言

　　金相指的是金屬內部結構的物理或化學狀態，反映金相的具體形態叫做金相組織，主要包括馬氏體、鐵素體、奧氏體等。在制備金相試樣時，主要采取的方法有手工法、機械法以及電解法等。人工法現在已很少用，機械法因為需要進行拋光，往往會在磨光面上出現一些雜質，而且需要多次拋光，浪費大量時間。電解法是當前較為常見的一種制樣方法，在有色金屬及耐熱不銹鋼等制樣中較為適用，在較短的時間內就能完成制樣工作，減輕了勞動量，提高了工作效率，值得推廣應用。

　　電子與封裝最新期刊目錄

一種基于LTCC技術的低頻小尺寸3 dB電橋————作者：馬濤;王慷;聶夢文;潘園園;

摘要：3 dB電橋在通信系統廣泛應用于微波信號合成與分配。針對小型化和低頻應用需求，利用低溫共燒陶瓷工藝開發一款低頻小尺寸電橋。采用寬邊耦合結構實現3 dB耦合，并調整線寬實現駐波比和隔離的均衡；采用螺旋和三維繞線結構實現小型化；引入耦合線對地結構進一步降低應用頻率。尺寸為標準1206封裝，測試結果與仿真結果吻合通帶為330～580 MHz，插入損耗≤1.3 dB，駐波≤1.5，隔離度≥17.9 dB，...

液體環氧塑封料的應用進展————作者：肖思成;李端怡;任茜;王振中;劉金剛;

摘要：綜述了國內外液體環氧塑封料（LEMC）研究與開發領域中的最新進展狀況。從集成電路先進封裝技術的發展對LEMC的性能需求、組成與結構設計、LEMC的研究與開發等角度闡述了LEMC在扇出型晶圓級封裝（FOWLP）以及高帶寬存儲器（HBM）中的應用進展。最后對LEMC的未來發展趨勢進行了展望

JESD204B型多通道高速SiP處理芯片的設計與分析————作者：盛沨;田元波;謝達;

摘要：研究高速系統級封裝（SiP）處理芯片對現代高速數據處理領域的發展具有重要的實際應用價值。針對目前高速處理系統普遍存在通道數少、集成度低、占用面積大、易受干擾等問題，論文中提出一種以現場可編程門陣列（FPGA）為核心、集八路采集和八路輸出為一體、支持“電子器件工程聯合委員會標準204B”（JESD204B）標準化串行接口傳輸的高速SiP處理芯片。其內部的模數轉換器（ADC）與數模轉換器（DAC）均為...

一款用于高性能FPGA的多通道HBM2-PHY電路設計————作者：徐玉婷;孫玉龍;曹正州;張艷飛;

摘要：為了滿足高性能現場可編程門陣列（FPGA）和動態隨機存取存儲器（DRAM）之間的高速、可靠的數據傳輸，設計了一種多通道HBM2-PHY電路。該電路采用12 nm工藝進行設計，最多支持8個獨立通道和最高1.6 Gbps的數據傳輸速率。通過在HBM2-PHY電路的地址和數據路徑中設計先進先出（FIFO）緩存來提高數據的讀寫效率；通過設計可調節的延遲鏈電路，對高速接收和發送電路中的數據采樣時鐘進行調節，...

Sn-Pb銅核微焊點液-固界面反應及力學性能研究————作者：丁鈺罡;陳湜;喬媛媛;趙寧;

摘要：Cu核微焊點相比傳統Sn基微焊點具有更好的導電、導熱及力學性能，且可有效控制焊點高度。本文首先探究了Sn-Pb合金電沉積工藝，隨后電鍍制備出Cu@Sn-Pb、Cu@Ni@Sn-Pb兩種Cu核微焊球，進一步研究了微焊點在250 ℃下回流的液-固界面反應，并探究了微焊點的剪切斷裂機理。結果表明，Sn-Pb鍍層成分受Pb²⁺濃度、絡合劑濃度、電流密度以及鍍液溫度等因素影響。鍍液溫度...

大功率LED投光燈死燈、暗亮失效分析探究————作者：馮學亮;劉興龍;周小霍;吳冰冰;曾志衛;

摘要：通過失效復現確認了大功率LED投光燈死燈、暗亮的失效現象。通過對異常燈珠半導體特性測試，確定了燈珠死燈、暗亮的失效模式主要表現為開路及漏電。開路及漏電燈珠外觀檢查，二者晶元位置同一側均發現發黑異常，疑似晶元表面存在燒毀現象�；瘜W開封后，開路燈珠晶元表面陰極位置均存在電極擊穿燒毀脫開異常，漏電燈珠晶元表面finger位置同樣存在擊穿燒毀現象。經對失效燈板上發光正常燈珠晶元表面FIB及CP-SEM分析...

高效率LSTM硬件加速器設計與實現————作者：陳鎧;賀傍;滕紫珩;傅玉祥;李世平;

摘要：相比于傳統循環神經網絡(RNN)，長短期記憶網絡(LSTM)增加了多個門控單元和記憶單元，可以有效解決傳統RNN網絡梯度消失和梯度爆炸的問題。由于在處理復雜序列依賴性問題上具有優勢，LSTM網絡廣泛應用于機器翻譯、情感分析、文本分類等自然語言處理應用中。隨著智能應用復雜度增加，LSTM網絡層數、隱藏層節點數的增多，對端側處理器件的存儲容量、訪存帶寬、處理性能的要求也劇烈增加。論文分析LSTM算法特...

基于循環內聚力模型的TSV界面裂紋擴展模擬研究————作者：黃玉亮;秦飛;吳道偉;李逵;張雨婷;代巖偉;

摘要：TSV界面可靠性問題一直是電子封裝領域關注的熱點。通過數值模擬的方法，采用循環內聚力模型研究了溫度循環載荷下Cu和SiO₂界面損傷開裂問題。首先，在雙線性內聚力模型基礎上建立了考慮疲勞損傷的循環內聚力模型，并驗證了模型的合理性。最終，模擬了不同尺寸TSV結構在溫度循環載荷下Cu和SiO₂界面的損傷開裂現象，并對其規律進行了研究。研究結果表明，溫度循環過程...

四甲基氫氧化銨溶液溫度對硅槽刻蝕的研究————作者：張可可;趙金茹;周立鵬;

摘要：隨著MEMS壓力傳感器應用領域的不斷擴展，研究團隊研究了壓力傳感器中關鍵的應力敏感薄膜刻蝕，進行了四甲基氫氧化銨溶液在不同溫度條件下對硅槽刻蝕的試驗，通過臺階測試儀、掃描電子顯微鏡等設備進行硅槽刻蝕表征測試，分析了溫度對硅槽刻蝕速率、表面形貌、均勻性的影響，得出刻蝕溫度在80 ℃時，最佳均勻性為0.039%，合格率達到92.67%的高平整度硅深槽結構的結論

2.5D封裝關鍵技術的研究進展————作者：馬千里;馬永輝;鐘誠;李曉;廉重;劉志權;

摘要：隨著摩爾定律在晶體管微縮領域逼近物理極限，先進封裝技術通過系統微型化與異構集成，成為突破芯片性能瓶頸的關鍵路徑。作為先進封裝的核心分支，2.5D封裝通過硅/玻璃中介層實現高密度互連與多芯片異構集成，兼具高帶寬、低延遲和小型化優勢，廣泛應用于人工智能、高性能計算及移動電子領域。本文系統闡述了2.5D封裝的核心結構(如CoWoS、EMIB和I-Cube)及其技術特征，重點剖析了小芯片(Chiplet)...

面向碳納米管集成電路的新型靜電放電防護結構研究————作者：金浩然;劉俊良;梁海蓮;顧曉峰;

摘要：針對碳基集成電路靜電放電（ESD）防護器件存在失效電流差和失效電壓低等問題，基于柵控電場調制技術與動態電位調制的協同設計理論，系統性地提出了兩種新型碳納米管場效應晶體管（CNTFET）ESD防護器件。首先，通過研究傳統CNTFET的直流特性，當施加高柵極電壓時，CNTFET處于高阻狀態特性，符合ESD防護設計需求。基于此，創新性地提出了柵接漏（GD）CNTFET結構，實驗結果表明GD-CNTFET...

基于AiP8F7232的無刷電動工具控制器設計————作者：馬文博;蔡嘉威;羅明;

摘要：針對需求量日益增高的無刷電動工具控制器，結合當前主流設計要求，設計了一種基于AiP8F7232微控制器的無刷電動工具控制器設計方案。該設計在硬件架構設計上充分結合AiP8F7232微控制器電機專用外設特點，簡潔高效、集成度高。軟件架構上針對電動工具應用特點，設計了電機驅動控制策略，控制器保護策略，功能完整度高。通過實驗驗證，所設計的控制器運行時電機起動無反轉，閉環加速時間小于100 ms、中速段運...

金屬種子層PVD濺射系統在板級先進封裝中的應用————作者：張曉軍;李婷;胡小波;楊洪生;陳志強;方安安;

摘要：PVD濺射系統作為板級先進封裝的關鍵工藝設備之一，其性能直接影響到封裝質量和可靠性。本文介紹了應用于大尺寸(510 mm×515 mm及以上）面板級先進封裝的濺射系統，該系統配置了多個單元模塊，降低工藝成本的同時實現連續自動化濺射鍍膜生產，自研的大尺寸陰極濺射系統可以有效提高沉積速率，同時提升靶材利用率至50%以上；自研冷卻系統能顯著降低基板表面溫度，改善翹曲，實現更精細地控制；此外，510 mm...

三維集成銅-銅低溫鍵合技術的研究進展————作者：陳桂;邵云皓;屈新萍;

摘要：隨著集成電路制造技術對高性能、高集成度和低功耗的需求不斷增加，三維集成電路（3D IC）技術成為提升芯片性能和集成度的有效途徑。金屬Cu具有低電阻率、優異的導熱性和抗電遷移能力，能夠提供高效的電氣連接和熱管理性能。低溫銅-銅（Cu-Cu）鍵合技術因其在高密度互連、良好的導電性和導熱性方面的優勢，成為先進封裝的核心技術之一，受到廣泛關注。文中探討了Cu-Cu鍵合技術面臨的主要挑戰及其解決方案，總結了...

“第三代半導體功率電子封裝技術”專題前言————作者：田艷紅;

摘要：<正>以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為首的第三代半導體材料，具有高禁帶寬度、高電子遷移率和高熱導率等優勢，可以顯著提升高功率電力電子器件的系統性能和可靠性，實現更高效的能源轉換、更快速的數據傳輸和更強勁的信號傳導，在現代電子系統中發揮著關鍵作用，其應用范圍涵蓋新能源汽車、光伏儲能、電力傳輸、高速列車以及航空航天等諸多關鍵領域。根據市場研究機構預測，未來幾年全球第三代半導體器件市場規模將持續增...

功率器件封裝用納米銅焊膏及其燒結技術研究進展————作者：王秀琦;李一凡;羅子康;陸大世;計紅軍;

摘要：以第三代半導體為核心的功率電子器件向高功率密度、高結溫方向的發展對封裝互連材料、工藝及服役條件下的可靠性都提出了嚴苛的挑戰。納米銅（Cu）焊膏具有低成本、抗電遷移性、優異的導電導熱性能和“低溫燒結、高溫服役”特性，是1種極具工業化潛力的功率器件封裝候選材料，受到廣大研究者的密切關注。然而，相比于納米銀（Ag）焊膏，納米銅焊膏的穩定性（易氧化）和低溫燒結性能仍有較大的差距。根據試驗結果，從燒結機理、...

乙基纖維素影響下的微米銀焊膏和納米銀焊膏燒結對比研究————作者：喻龍波;夏志東;鄧文皓;林文良;周煒;郭福;

摘要：微米銀（Ag MPs）焊膏和納米銀（Ag NPs）焊膏因其低溫燒結、高溫服役的特點而成為最有可能用于高溫封裝的連接材料。研究了乙基纖維素對Ag MPs和Ag NPs焊膏燒結結果的影響，分析了相同條件下2組焊膏燒結結果存在差異的原因。結果表明，在無壓、250℃、空氣條件下，添加質量分數為5%的乙基纖維素，2組焊膏的燒結性能較好，Ag MPs焊膏燒結所得接頭強度和薄膜電阻率為8.57 MPa和4.25...

燒結銀陣列互連雙面散熱SiC半橋模塊的散熱和應力仿真————作者：逄卓;趙海強;徐濤濤;張浩波;王美玉;

摘要：基于燒結銀作為芯片互連層的雙面散熱Si C半橋模塊，改變芯片頂面與基板的燒結銀連接層形狀為片狀、圓柱陣列和長方體陣列，進行了散熱和熱應力仿真。仿真結果表明，得益于燒結銀較高的熱導率，改變燒結銀層的形狀對散熱性能影響很小。相比于片狀燒結銀互連模塊，采用圓柱陣列和長方體陣列燒結銀互連的模塊，其結溫最大僅升高0.2℃和0.14℃。由于陣列模型中的燒結銀互連層通過多個微小連接點有效分散和緩解了熱應力，圓柱...

納米銅粉的制備方法及其在電子封裝行業的應用————作者：王一帆;汪根深;孫德旺;陸冰滬;章瑋;李明鋼;

摘要：納米銅粉在電子封裝領域可作為漿料的填充材料實現低溫燒結，替代價格較高的銀，具有廣闊的應用前景。納米銅粉的尺寸、形貌、純度等與制備方法密切相關，有必要深入了解不同制備方法，實現粒徑精準控制。綜述了3種主流的納米銅粉制備方法，重點對成本較低的液相還原法進行了介紹。介紹了納米銅粉在低溫燒結銅漿中的應用，分析了漿料成分、燒結參數等因素對銅漿燒結性能的影響，指明了納米銅粉的技術瓶頸及發展趨勢，納米銅粉的粒徑...

GaN芯片封裝技術研究進展與趨勢————作者：宋海濤;王霄;龔平;朱霞;李楊;劉璋成;閆大為;陳治偉;尤杰;敖金平;

摘要：作為第三代半導體材料，GaN因其高電子遷移率、高擊穿場強等優異特性，正被廣泛應用于高頻、高功率電子器件。然而，其封裝技術面臨諸如熱管理、電氣性能優化以及封裝可靠性等挑戰，同時還需要滿足更緊湊、更集成的需求。重點討論了目前GaN芯片封裝的多種解決方案，包括晶體管外形（TO）封裝、四邊扁平無引線（QFN）封裝等分立器件封裝結構，晶圓級封裝（WLP）、多芯片模塊（MCM）合封器件封裝結構以及諸多先進封裝...

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